onsemi FDMS86150ET100
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSC040N10NS5ATMA1
On a Reel of 5000, N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
InfineonIRF7769L1TRPBF
Single N-Channel 100 V 3.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
InfineonIPB100N10S305ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
STMicroelectronicsSTL110N10F7
N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86150ET100 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 128A, 4.85mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
FDMS86150 Series 100 V 128 A 4.85 mOhm N-Ch PowerTrench MOSFET - PQFN-8
Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 100V, 0.00485ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
3.3W(Ta)，187W(Tc) 20V 4V@ 250µA 62nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 4.85mΩ@ 16A,10V 16A，128A 4.065nF@50V QFN SMD mount 3.3mm*3.3mm*800μm
100V 128A 3.9m´Î@10V16A 187W 3V@250uA 29pF@50V N Channel 3.055nF@50V 25nC@0~5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) Power-56-8 MOSFETs ROHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)128 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.065 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max4.85 mΩ
Rise Time8.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité