onsemi FDMS86102LZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7495PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
InfineonIRF7495TRPBF
Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86102LZ fournies par ses distributeurs.
FDMS86102LZ N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V PowerTrench, 8-Pin PQFN ON Semiconductor
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 22A, 25mΩ
N-Channel 100 V 25 mO Surface Mount PowerTrench MosFet - Power-56-8
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N CH, 100V, 22A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0186ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.305 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time2.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité