onsemi FDD86102LZ
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD86102LZ fournies par ses distributeurs.
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 35 A, 22.5 mΩ
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 100V, 35A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0178ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Pulse Current Idm:40A
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance22.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max22.5 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité