onsemi FDMS86101A
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH5110TRPBF
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonBSC109N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 63 A, 10.9 MilliOhms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86101A fournies par ses distributeurs.
MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curre
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 60A, 8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)，104W(Tc) 20V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 8mΩ@ 13A,10V 13A，60A 4.12nF@50V PQFN SMD mount 1.1mm(height)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time5.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.1 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.85 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité