onsemi FDMS8460
$ 0.717
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +2.88%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDMS8460.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDMS8460, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8460 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 49A, 2.2mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
FDMS8460 Series 40 V 49 A 2.2 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56
2.5W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 40V 2.2m¦¸@ 25A,10V 25A,49A 7.205nF@20V PQFN 1.1mm
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TAPE REEL / Nch ,Power Trench MOSFET
MOSFET,N CH,40V,25A,POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; Power D
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +2.88%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.205 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.2 mΩ
Resistance2.2 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage40 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDMS8460.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité