onsemi FDS8638
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8638 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 40 V 4.3 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 18A, 4.3mΩ
40 V, 18 A, 4.3 MILLI OHM N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, N CH, 40V, 18A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max4.3 mΩ
Resistance4.3 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité