onsemi FDMS8050ET30
$ 2.297
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.39%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDMS8050ET30, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2027-01-10
LTD Date2027-07-10
Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPT004N03LATMA1
Infineon Technologies N channel OptiMOSP2 power transistor, 30 V, 300 A, HSOF, IPT004N03LATMA1
onsemiNTMFS4H01NT3G
Power Field-Effect Transistor, 334A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonAUIRF1324S-7P
INFINEON AUIRF1324S-7P MOSFET Transistor, N Channel, 429 A, 24 V, 800 ohm, 10 V, 2 V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8050ET30 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN / Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin Power 56 EP T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 423A, 0.65mΩ
Power Field-Effect Transistor, 423A I(D), 30V, 0.00065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 30V, 423A, POWER 56-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 423A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V;
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge and extremely low rDS(on).
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.39%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)423 A
Drain to Source Resistance650 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance22.61 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max650 µΩ
Schedule B8541290080
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité