onsemi FDMS5672
$ 2.336
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -58.37%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDMS5672, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
VishaySI7370DP-T1-E3
Single N-Channel 60 V 0.011 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
VishaySI7370DP-T1-GE3
N-Ch MOSFET 60V 9.6A 11mΩ@12A,10V 20V 4V@250µA 57nC@10V 1.9W(Ta) SMD 4.9mm × 5.89mm × 1.04mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS5672 fournies par ses distributeurs.
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5mΩ
onsemi N-Ch Enhanced MOSFET UltraFET, Vds=60V 10.6A MLP8 SMD 8-Pin
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin MLP EP T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Fet 60V 11.5 Mohm Mlp Rohs Compliant: Yes
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.
MOSFET, N, SMD, MLP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):11.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:10.6A; Package / Case:Power 56; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:60A; SMD Marking:FDMS5672; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3.2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -58.37%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight231 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.6 A
Current Rating22 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation78 W
Rds On Max11.5 mΩ
Resistance11.5 MΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3.2 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height800 µm
Length5 mm
Width6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité