onsemi FDMS4435BZ

P-channel Powertrench® Mosfet -30 V, -18 A, 20 Mω | Mosfet P-ch 30V 9A POWER56
$ 0.403
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FDMS4435BZ842778
3d
Newark
2
FDMS4435BZ3731Cut Tape
VericalFDMS4435BZ1 500930
Rochester Electronics
2
FDMS4435BZ1 500
17h
DigiKey
2
FDMS4435BZCT-ND2 8711Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDMS4435BZ.

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Datasheet7 pagesIl y a 3 ans
Technical Drawing1 pageIl y a 4 ans

IHS

Master Electronics

onsemi

element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.DMP3035LSS-13
P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDD6685
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, -40A, 20mΩ
Détails
VishaySI7121DN-T1-GE3
P-Channel 30 V 0.018 Ohm 52 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Détails
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Détails
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Détails
InfineonIRF7811AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMS4435BZ fournies par ses distributeurs.

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, 20 mΩ | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
Win Source
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
IHS
MOSFET, P CH, 30V, 18A, POWER56; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Farnell
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Fairchild Semiconductor

Images

RS
Farnell
Newark
element14 APAC
TME
Conrad
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd