onsemi FDMS3686S
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
VishaySI4168DY-T1-GE3
Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS3686S fournies par ses distributeurs.
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
Dual N-Channel 30 V 11/4 mOhm 14/18 nC 2.2/2.5 W PowerTrench Mosfet - POWER 56-8
2.5W 20V 2.7V@ 250¦ÌA 29nC@ 10V 2N 30V 8m¦¸@ 13A,10V 13A,23A 1.785nF@10V 6mm*5mm*1.1mm
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
TAPE REEL/DUAL N-Channel Power Trench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.785 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1 W
Rds On Max8 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité