onsemi FDMS0312AS
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
InfineonIRFHM8326TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
VishaySIRA14DP-T1-GE3
VISHAY SIRA14DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS0312AS fournies par ses distributeurs.
RS422/RS485 Transceiver, 1 Driver, 1 Receiver, 4.5V to 5.5V Supply, SOIC-8
2.5W(Ta)，36W(Tc) 20V 3V@1mA 31nC@ 10V 1individualNChannel 30V 5mΩ@ 18A,10V 18A，22A 1.815nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
The FDMS0312AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.815 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max5 mΩ
Rise Time2.3 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1 mm
Length6 mm
Width5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité