onsemi FDMS030N06B
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$ 2.02
$ 1.229
Stock
332,691
249,600,678
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
22.1 A
22 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
3 mΩ
2.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
104 W
-
Input Capacitance
7.56 nF
4.515 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7580MTRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package, MG-WDSON-8, RoHS
InfineonIRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIPB120N06S403ATMA2
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Diodes Inc.DMTH6004LPS-13
60V, 100A, 3.1mohm, N-Channel, PowerDI5060-8, Enhancement Mode Mosfet
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS030N06B fournies par ses distributeurs.
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B
Power Field-Effect Transistor, 22.1A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)，104W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 75nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3mΩ@ 50A,10V 22.1A，100A 7.56nF@30V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.3V; Pow
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.56 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation104 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité