onsemi FDML7610S
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descriptions
Descriptions de onsemi FDML7610S fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 mΩ N-Channel: 30 V, 28 A, 4.2 mΩ
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A,; DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, MLP3X4.5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:30A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0075ohm
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual MLP package.The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight300 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max7.5 mΩ
Turn-Off Delay Time31 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3 mm
Width4.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité