onsemi FDMD8540L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-04-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS7437-7PPBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN
InfineonIRF2804STRL7PP
Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
onsemiNTMFS5C430NLT1G
Single N−Channel Power MOSFET 40V, 200A, 1.4mΩ Power MOSFET 40 V, 1.5 mohm, 200 A, Single N-Channel
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMD8540L fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 156A, 1.5mΩ
Compliant Surface Mount 800 µm 94.85095 mg 1.5 mΩ 8 EOL (Last Updated: 6 days ago) 7.94 nF
This device includes two 40V N-Channel MOSFETs in a dual Power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight94.85095 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)156 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.94 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation62 W
Rds On Max1.5 mΩ
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité