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onsemi FDMC012N03

N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 1.23 mΩ
$ 0.914
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Avnet
2
FDMC012N03
33 000
3K
USD
0,523
1d
Newark
2
FDMC012N03
723
1
Cut Tape
USD
1,920
1,800
1,440
1,140
1,140
Rochester Electronics
FDMC012N03
28 985
USD
0,702
0,583
0,520
15h
Verical
7
FDMC012N03
7
3
USD
1,310
0,933
0,698
0,588
Arrow Electronics
2
FDMC012N03
8 688
1
USD
1,234
1,234
1,234
1,234
1,234

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDMC012N03.

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Détails
InfineonIPB240N03S4LR9ATMA1
30V, N-Ch, 0.92 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Détails
onsemiFDMC8010ET30
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 174A, 1.3mΩ
Détails
InfineonIRF6797MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX / Trans MOSFET N-CH Si 25V 36A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Détails
InfineonIPB180N03S4LH0ATMA1
30V, N-Ch, 0.95 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMC012N03 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 1.23 mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 30V, 0.00123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Abacus Technologies
2.3W(Ta)，64W(Tc) 12V 2V@ 250µA 110nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 1.23mΩ@ 35A,10V 35A，185A 8.183nF@15V SMD mount 3.3mm*3.3mm*800μm
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 185A, 30V, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 185A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.00096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.3V; Po
Farnell
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Fairchild Semiconductor

Images

Newark
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDMC012N03.