onsemi FDMC8651
$ 0.982
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +757%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDMC8651, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTS14N3LLH5
MOSFET N-Ch 2.7W(Tc) 22V 1V@250µA 12nC@4.5V 30V 6mΩ@7A,10V 14A 1.5nF@25V SOIC-8 SMD 1.65mm H
VishaySI4174DY-T1-GE3
30V 17A 9.5m´Î@10V10A 5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySI4430BDY-T1-E3
N-Ch MOSFET 30V 14A 4.5mΩ@20A,10V Qg=36nC@4.5V Vgs=3V Id=250µA Ta=1.6W SOIC-8 SMD 1.75mm H
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC8651 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 20A, 6.1mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin Power 33 T/R / MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
2.3W(Ta), 41W(Tc), 12V, 1.5V@250µA, 27.2nC@4.5V, 2 N-Ch, 30V, 990μΩ@36A,10V, 36A, 100A, 14.965nF@15V, SMD, 3.3mm × 3.3mm × 1.05mm
MOSFET, N CH, 30V, 20A, POWER33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This device has been designed specifically to improve the efficiency of DC/DC converters. Using new techniques in MOSFET construction, the various components of gate charge and capacitance have been optimized to reduce switching losses. Low gate resistance and very low Miller charge enable excellent performance with both adaptive and fixed dead time gate drive circuits. Very low rDS(on) has been maintained to provide a sub logic-level device.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +757%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.365 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max6.1 mΩ
Resistance6.1 MΩ
Rise Time9 ns
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité