onsemi FDMC86244
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC86244 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 9.4a, 134mΩ
FDMC86244 Series 150 V 9.4 A 134 mOhm N.Ch. PowerTrench Mosfet - MLP-8
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, N CH, 150V, 9.4A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V; Power Dissipation Pd:26W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight180 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance134 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance345 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max134 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.6 V
Turn-Off Delay Time9.9 ns
Turn-On Delay Time5.3 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité