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Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQD16N15TM.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Pièces détachées
InfineonIRFR6215TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215TRRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Diodes Inc.DMN15H310SK3-13
32W(Ta) 20V 3V@250µA 8.7nC@10V N-Ch MOSFET 150V 310mΩ@1.5A,10V 8.3A 405pF@25V TO-252-3 SMD
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD16N15TM fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 150V 11.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2.5W(Ta)，55W(Tc) 4V@ 250µA 30nC@ 10V 1individualNChannel 150V 160mΩ@ 5.9A,10V 910pF@25V DPAK SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 11.8A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.8 A
Current Rating11.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time115 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité