onsemi FDMC86160

MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Curre
$ 1.23
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FDMC86160336 1523K
4h
Future ElectronicsFDMC861603 0003KTape & Reel
Newark
2
FDMC861601 4105Cut Tape
Master ElectronicsFDMC861602 32025
Onlinecomponents.comFDMC861602 32025Bulk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDMC86160.

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-06-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRFH5053TRPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 24 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Détails
STMicroelectronicsSTD40NF10
N-channel 100 V, 0.025 Ohm, 50 A DPAK low gate charge STripFET(TM) II Power MOSFET
Détails
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)
Détails
InfineonIRLR3110ZPBF
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
Détails
onsemiFDD86102
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 36 A, 24 mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMC86160 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curre
Newark
N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm | MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Win Source
ON SEMICONDUCTOR - FDMC86160 - MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V
Utmel Electronic
N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 43A, 14mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Semicontronic
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for applications where ulta low RDS(on) is required in small spaces such as High performance VRM, POL and orring functions.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Farnell

Images

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LZChips
Component Sense
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd