onsemi FDMC86116LZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN10H099SFG-7
DMN10H Series, 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET - PowerDI3333-8
Diodes Inc.DMN10H120SFG-13
DMN10H120SFG Series 100 V 3.8 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet -PowerDI3333-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC86116LZ fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, SHIELDED GATE, POWERTRENCH, 100V, 7.5A, 103MOHM
N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7.5A, 103mΩ
Single N-Channel 100 V 153 mOhm 6 nC 2.3 W Shielded Gate Mosfet - POWER 33-8
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 100V, 7.5A, POWER 33-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight180 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance103 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance310 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max103 mΩ
Rise Time1.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité