onsemi FDMC007N30D
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC007N30D fournies par ses distributeurs.
PT8+ Technology 30V Dual N-Channel MOSFET - 8 LD, MLP, DUAL, NON JEDEC, 3 MM SQUARE, DUAL DAP
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor
2.5W 12V 3V@ 250¦ÌA 34nC@ 10V 2N 30V 11.6m¦¸@ 10A,10V 46A 1.11nF@ 15V,2.36nF@ 15V MLP-8 3mm*3mm*800¦Ìm
30V 46A 11.6mΩ@10A,10V 2 N-Channel WDFN-8 MOSFETs ROHS
MOSFET PT8+ TECH. 30V DUAL N-CHA
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLP
IC MCU 32BIT 576KB FLASH 144LQFP
PT8+ TECHNOLOGY 30V DUAL N-CHANN
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual power33(3mm X 3mm MLP) package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Weight186 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Dimensions
Height800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité