onsemi FDMA7632
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-08-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMA7632 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 9A, 19mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
DC DC Converters 1 (Unlimited) 1 24-DIP Module, 8 Leads Through Hole Isolated Module ITE (Commercial) ECONOLINE RW-S (3W) -40°C~80°C 1.27Lx0.58W x 0.28 H 32.3mmx14.7mmx7.0mm CONV DC/DC 3W 18-36VIN 15VOUT
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
MOSFET, N CH, 30V, 9A, MICROFET2X2; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation900 mW
Rds On Max19 mΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité