onsemi FDMA1032CZ
$ 0.29
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMA1032CZ | 15 000 | 3K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | FDMA1032CZ | 6 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDMA1032CZ | 4 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | FDMA1032CZ | 1 000 | 14h | |||||||||
| Flip Electronics | FDMA1032CZ | 2 558 | 1d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN2F34FHTA
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount
onsemiFDME1034CZT
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMA1032CZ fournies par ses distributeurs.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin MicroFET EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:1V; Threshold Voltage, Vgs Typ:12V; Package/Case:6-MicroFET ;RoHS Compliant: Yes
This device is designed specifically as a single package solution for a DC/DC 'Switching' MOSFET in cellular handset and other ultra-portable applications. It features an independent N-Channel & P-Channel MOSFET with low on-state resistance for minimum conduction losses. The gate charge of each MOSFET is also minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight40 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max68 mΩ
Resistance68 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité