onsemi FDMA1023PZ
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDMA1023PZ | 6 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDMA1023PZ | 5 353 | 1 | |||||||||
| Verical | FDMA1023PZ | 838 904 | 822 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMA1023PZ | 839 193 | 2d | |||||||||
| DigiKey | FDMA1023PZCT-ND | 7 771 | 1 | Cut Tape |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTHD5904NT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Dual Mosfet Transistor 2.5A Ta 4.5A 1.13W 17ns
Diodes Inc.DMN2100UDM-7
Single N-Channel 20 V 1.5 W 8.8 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23-6
Diodes Inc.ZXMN2B14FHTA
N-channel 20 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMA1023PZ fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V , -3.7A, 72mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R
Avnet Japan
FDMA1023PZ Series -20 V -3.7 A 72 mOhm Dual P-Ch. PowerTrench® MOSFET-MicroFET-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -3.7A, MICROFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:µFET; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultraportable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight40 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance655 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-700 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max72 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-700 mV
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité