onsemi FDG1024NZ

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ
EOL
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DistributorSKUMinPkg
Master ElectronicsFDG1024NZ17 7503K
Onlinecomponents.comFDG1024NZ17 7503KBulk
NewarkFDG1024NZ03KCut Tape
AvnetFDG1024NZ06K
17h
FarnellFDG1024NZ.01
15h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2009-09-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2013-09-11
LTD Date2025-10-17
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Pièces détachées

onsemiFDG327NZ
MOSFET Transistor, N Channel, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV
Détails
onsemiFDG326P
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
onsemiFDG327N
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),SOT-363
Détails
VishaySI1967DH-T1-E3
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
Détails
Diodes Inc.DMN2112SN-7
Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Détails
onsemiFDG329N
20V/12V, 90/115MO, NCH, SINGLE, SC70-6, 300A GOX, PTII
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDG1024NZ fournies par ses distributeurs.

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ
onsemi
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 20 V 175 mO 360 mW Surface Mount PowerTrench® Mosfet SC-70-6
Future Electronics
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 1.2A, SC-70-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; Power Dissipation Pd:360mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Farnell
This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Fairchild Semiconductor

Images

Newark
Farnell
element14 APAC
Future Electronics
TME
iiiC

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDG1024NZ.