onsemi FDD86367
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.095
Stock
376,492
397,263
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vds)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
227 W
227 W
Input Capacitance
-
4.84 nF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD86367 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 100 A, 4.2 mΩ
N-Channel PowerTrench MOSFET 80V 100A 0.0042Ohm 3-Pin DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252AA
MOSFET N-Ch 227W(Tj) 20V 4V@250µA Qg 88nC@10V 80V 4.2mΩ@80A,10V Id 100A Coss 4.84nF@40V D-PAK TO-252 SMD 2.52mm H
Mosfet's - Single; |Onsemi FDD86367
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Off Line Switcher 11-Pin SOP-B EP T/R
MV7 80/20V 1000A N-CHANNEL POWER
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité