onsemi FDD8444L-F085
Obsolete
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPD040N03LGATMA1
79W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252
VishaySUD42N03-3M9P-GE3
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
InfineonIPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 / N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD8444L-F085 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 50A, 6.0mΩ,
N-Channel Powertrench Mosfet 40V, 50A, 6.0M Ohm / Tape Reel
Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDD8444 Series 40 V 6 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.53 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation153 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation153 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time18.7 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité