onsemi FDD6637_F085
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP3010LK3-13
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
STMicroelectronicsSTD27N3LH5
N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, DPAK, STripFET (TM) V Power MOSFET
InfineonIRLR2703TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Diodes Inc.DMP3028LK3-13
MOSFET P-CH 30V 27A TO252 / Trans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6637_F085 fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET, -35V, -21A, 18mΩ
Trans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Pmos Dpak 35V 11 Mohm / Reel
new, original packaged
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage-35 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage35 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max11.6 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité