onsemi FDD26AN06A0
$ 1.102
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Pièces détachées
InfineonIRFR4105ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
InfineonIRFR2407TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0218Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIPD30N06S223ATMA2
Mosfet, N-Ch, 30A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD30N06S223ATMA2
STMicroelectronicsSTD35P6LLF6
P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD26AN06A0 fournies par ses distributeurs.
60V,36A,26 OHM, N-CH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET<AZ
N-Channel PowerTrench MOSFET | MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK
Small Signal Transistors 60V,36A,26 OHM N-CH
TRANS MOSFET N-CH 60V 7A 3-PIN TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating36 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time72 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité