onsemi FDD10AN06A0-F085
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-01-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP6180SK3-13
P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
Diodes Inc.ZXMP6A18KTC
P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252
onsemiSFT1342-TL-E
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 12A 1W 75ns
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD10AN06A0-F085 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 10.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-252AA T/R
TAPE REEL/N-Channel PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.84 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time79 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité