onsemi FDBL0240N100
$ 3.9
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +21.23%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDBL0240N100.
Fiche technique officielleIl y a 3 ans
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDBL0240N100, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
onsemiFDBL86363-F085
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF / N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
onsemiFDB035N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIRFS3107TRL7PP
N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonAUIRFS3107-7P
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDBL0240N100 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 210A, 2.8mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 210A, 175度 C, 300W;
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFET, N-CH, 100V, 210A, 175DEG C, 300W;
Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
3.5W(Ta)，300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 111nC@ 10V 1individualNChannel 100V 2.8mΩ@ 80A,10V 210A 8.755nF@50V HPSOF-8 SMD mount 10.48mm*9.9mm*2.4mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +21.23%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)210 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.755 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max2.8 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDBL0240N100.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité