onsemi FDB8876

Name: onsemi FDB8876
Brand: onsemi
SKU: FDB8876

Mosfet N-ch 30V 71A D2PAK

$ 0.567

Obsolete

Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FDB8876	1 875	494					0,630	0,562
Rochester Electronics		FDB8876	7 486					0,608	0,504	0,450	2h
Avnet		FDB8876	0	1600							4h
Worldway Electronics		FDB8876	7 799	7	Bulk		0,139	0,135	0,128	0,128	1h
Anlinkda		FDB8876	53 742			0,260	0,233	0,211	0,205	0,201	10h

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Datasheet6 pagesIl y a 25 ans

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiFDB7030BL

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 60A, 9mΩ

Détails

InfineonIRL8113SPBF

IRL8113SPBF N-channel MOSFET Transistor, 105 A, 30 V, 3-Pin D2PAK

Détails

onsemiFDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Détails

onsemiFDB8878

30V,48A, 14 OHM NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET

Détails

onsemiNDB603AL

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

Détails

InfineonIPB80N03S4L02ATMA1

30V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDB8876 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

DigiKey

TRANS MOSFET N-CH 30V 71A 3PIN TO-263

Avnet

MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

Mouser

Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 30V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)71 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance10.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time41 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.7 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation70 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation70 W

Rds On Max8.5 mΩ

Rise Time113 ns

Turn-Off Delay Time50 ns

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IHS

Datasheet6 pagesIl y a 25 ans

Future Electronics

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans