Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDB8878 | 0 | 1600 | 4h | ||||||||
| Component Stockers USA | FDB8878 | 17 081 | 16h | |||||||||
| Win Source | WS-FDB8878 | 70 000 | 95 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDB8878 | 27 237 | 7 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Run Hong Electronics | FDB8878 | 2 226 | 13h |
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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Pièces détachées
InfineonIRL3715SPBF
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK / N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB8878 fournies par ses distributeurs.
30V,48A, 14 OHM NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
TRANS MOSFET N-CH 30V 48A 3PIN TO-263AB
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47.3 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time244 ns
Turn-Off Delay Time14.8 ns
Fiches techniques et documents
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