onsemi FDB0260N1007L
$ 5.048
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FDB0260N1007LCT-ND | 169 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB0260N1007L | 679 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | FDB0260N1007L | 2 285 | 12h | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB0260N1007L | 0 | 200 | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | FDB0260N1007L | 0 | 800 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
InfineonAUIRFS3107-7P
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
STMicroelectronicsSTH310N10F7-6
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
InfineonIRFS3107TRL7PP
N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB0260N1007L fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 200A, 2.6mΩ
Transistor MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin TO-263 T/R
Avnet Japan
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 VNew
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 / N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Mosfet, N-Ch, 100V, 200A, To-263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0023Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB0260N1007L
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior ruggedness and switching performance for industrial applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.545 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max2.6 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height4.9 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité