onsemi FDB0165N807L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiFDB0170N607L
FDB0170N607L Series 60 V 300 A 1.4 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-7
InfineonIRFS7530TRL7PP
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
InfineonIRFS7530-7PPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
InfineonIRLS3036TRL7PP
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB0165N807L fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 310A, 1.6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 310A I(D), 80V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior ruggedness and switching performance for industrial applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)310 A
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance23.66 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max1.6 mΩ
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité