onsemi FCPF9N60NT
$ 1.325
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF13NM60ND
STF13NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
Descriptions
Descriptions de onsemi FCPF9N60NT fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 9A, TO220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:29.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:27A
The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance385 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation29.8 W
Rds On Max385 mΩ
Rise Time8.7 ns
Turn-Off Delay Time36.9 ns
Turn-On Delay Time12.7 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité