onsemi FCPF11N60NT
$ 2.063
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FCPF11N60NT | 7 875 | 164 | |||||||||
| Rochester Electronics | FCPF11N60NT | 14 107 | 14h | |||||||||
| Flip Electronics | FCPF11N60NT | 465 | 6d | |||||||||
| Avnet | FCPF11N60NT | 0 | 432 | 16h | ||||||||
| Mouser | 512-FCPF11N60NT | 290 | 1 | Tube |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHF12N60E-E3
E-Series N-Channel 600 V 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Descriptions
Descriptions de onsemi FCPF11N60NT fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 10.8 A, 299 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
600V 10.8A 299m´Î@10V5.4A 32.1W 4V@250Ã×A N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 10.8A, TO220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.255ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:32.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:32.4A
The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.505 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32.1 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation32.1 W
Rds On Max299 mΩ
Rise Time9.1 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height15.9 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité