onsemi FCPF4300N80Z
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-12-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF2HNK60Z
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descriptions
Descriptions de onsemi FCPF4300N80Z fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 1.6 A, 4.3 Ω, TO-220F
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F / N-Channel 800 V 1.6A (Tc) 19.2W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Trans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. In addition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Resistance4.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance355 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.2 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.3 Ω
Resistance4.3 Ω
Rise Time6.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité