onsemi FCPF260N65FL1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-01-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-05-13
LTD Date2021-11-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FCPF260N65FL1 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FRFET®, 650 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220F
MOSFET N-CH 650V 15A TO220 / Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance260 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max260 mΩ
Resistance260 mΩ
Rise Time10.5 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time21.7 ns
Dimensions
Height19 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité