onsemi FCP067N65S3

Name: onsemi FCP067N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCP067N65S3

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220

$ 3.55

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	FCP067N65S3	800	800	Tube				3,660	3,610
Newark	FCP067N65S3	476	1		10,000	8,290	6,980	6,360	6,360
Verical	FCP067N65S3	630	2			3,492	3,492	3,492	3,492
Arrow Electronics	FCP067N65S3	630	1		3,492	3,492	3,492	3,492	3,492
DigiKey	FCP067N65S3-ND	565	1	Tube	7,920	7,920	3,947	3,384	3,384

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Pièces de rechange

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Master Electronics

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

Upverter

IHS

onsemi

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2016-02-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP45N65M5

N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package

Détails

STMicroelectronicsSTP43N60DM2

N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Détails

InfineonIPP65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Détails

InfineonIPP65R099C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Détails

InfineonIPP65R110CFDAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Détails

STMicroelectronicsSTP36N55M5

N-channel 550 V, 0.06 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FCP067N65S3 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220

onsemi

Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Richardson RFPD

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP067N65S3 Power MOSFET, SuperFET III, N Channel, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

Fly-Wing Technology

MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

Future Electronics

SUPERFET3 650V 67 MOHM TO220 PKG

DigiKey

onsemi NMOS, Vds=650 V, 44 A, TO-220, , 3

UnikeyIC

Mosfet, N-Ch, 650V, 44A, To-220-3L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.059Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCP067N65S3

Newark

SuperFET® III MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brandnew high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advancedtechnology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dtrate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency

Fairchild Semiconductor

Images

Augswan

TME

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)44 A

Drain to Source Breakdown Voltage650 V

Drain to Source Resistance67 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance3.09 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation312 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation312 W

Rds On Max67 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time89 ns

Turn-On Delay Time26 ns

Dimensions

Height20.4 mm

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Master Electronics

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

Upverter

IHS

onsemi

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A