onsemi FCH104N60F
$ 3.857
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FCH104N60F | 270 | 79 | |||||||||
| Rochester Electronics | FCH104N60F | 270 | 22h | |||||||||
| Newark | FCH104N60F | 0 | 60 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FCH104N60F | 0 | 113 | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | FCH104N60F | 0 | 450 | Tube |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySIHW33N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
VishaySIHG30N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
STMicroelectronicsSTW45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A TO247 / N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FCH104N60F fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 600 V, 37 A, 104 mΩ, TO-247
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
SUPERFET2 104MOHM, FRFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 37A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.098ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissi
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance104 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.95 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation357 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation357 W
Rds On Max104 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité