onsemi BD680AS
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Ce composant
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$ 0.299
$ 0.318
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Stock
93,395
189,555
189,555
Authorized Distributors
3
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126
TO-126
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V
-2.8 V
-2.8 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
14 W
14 W
14 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD680AS fournies par ses distributeurs.
Transistor,bjt,darlington,pnp,80V V(Br)Ceo,4A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes
4.0 A, 80 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington PNP 80V 4A 14000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
PNP Darlington Transistor, 2.8V@40mA, 2A, 14W, 5V, 500μA, 80V, 4A, TO-126-3, TH, 8mm × 3.25mm × 11mm
PNP Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current-4 A
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation14 W
TerminationThrough Hole
Voltage Rating (DC)-80 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité