onsemi BD679ASTU
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Stock
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945,134
945,134
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
SOT-32
SOT-32
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V
2.8 V
2.8 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
-
40 W
40 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD679ASTU fournies par ses distributeurs.
Transistor,bjt,darlington,npn,80V V(Br)Ceo,4A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
BD679A Series 80 V 4 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
2.8V@ 40mA,2A NPN - Darlington 40W 5V 500¦ÌA 80V 80V 4A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current4 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité