onsemi BD14016STU
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BD14016STU | 15 692 | 2778 | 1d | ||||||||
| Flip Electronics | BD14016STU | 15 692 | 3d | |||||||||
| Farnell | BD14016STU | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| element14 APAC | BD14016STU | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Win Source | WS-BD14016STU | 1 575 | 185 | 11h |
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Modèles CAO
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD14016STU fournies par ses distributeurs.
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD140 Series 80 V CE Breakdown 1.5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight760.986249 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current15 A
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Voltage45 V
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité