onsemi BD13916STU
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Stock
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217,063
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126-3
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD13916STU fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistors (BJT); BD13916STU; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 1.5 A
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD13916 Series NPN 1.25 W 80 V 1.5 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
80V 1.25W 100@150mA,2V 1.5A NPN TO-126-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.25W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transi
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité