onsemi BC856BDW1T1G
$ 0.047
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC856BDW1T1G | 72 000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | BC856BDW1T1G | 26 000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC856BDW1T1G | 21 000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | BC856BDW1T1G | 2 975 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BC856BDW1T1G | 135 000 | 3K | Tape & Reel |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +40.50%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi BC856BDW1T1G.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi BC856BDW1T1G, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBC846BPDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
onsemiMUN5116DW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiMUN5115DW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi BC856BDW1T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistors (BJT); BC856BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 6; 65 V; 100 mA
ON SEMI BC856BDW1T1G DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 6-PIN SC-88
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R / TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, SOT-363-6; Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 220hFE; Transistor Case Style:
TRANSISTOR, PNP, DUAL, -65V SOT-363, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:-65V; Continuous Collector Current NPN:-; Continuous Collector Current PNP:100mA RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Dual / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 65 / DC Current Gain (hFE) = 150 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 380 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 900 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +40.50%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi BC856BDW1T1G.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité