onsemi BC848CWT1G
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
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$ 0.046
$ 0.025
Stock
7,031,975
469,771
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SC
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
hFE Min
420
420
Power Dissipation
150 mW
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBC848BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC847CWT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 420 @ 2mA 5V 15nA ICBO 150mW 100MHz
onsemiBC846BWT1G
Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
NXP SemiconductorsBC846AT,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 110 @ 2mA 5V 100mA 150mW 100MHz
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi BC848CWT1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848 Series 30 V 100 mA SMT NPN General Purpose Transistor - SC-70-3
ON SEMI BC848CWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SC-70
30V 150mW 100mA NPN SC-70-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, SOT-323-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:420hFE;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité