onsemi BC848BWT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBC848CWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC846BWT1G
Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
onsemiBC847BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBC846AT,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 110 @ 2mA 5V 100mA 150mW 100MHz
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi BC848BWT1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ON SEMI BC848BWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SC-70
ON SEMICONDUCTOR - BC848BWT1G - RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323, FULL REEL
BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323
600mV@ 5mA,100mA NPN 200mW 5V 15nA 30V 30V 100mA SOT-323 SMD mount 2.1mm*1.24mm*850μm
NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANS, NPN, 30V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; RF Transistor Case: SC-70; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C; Transistor Case Style: SOT-323
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité