onsemi BC556BTF
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Stock
983,781
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Authorized Distributors
6
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-90 mV
-250 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BC556BTF fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
100 mA, 65 V PNP Bipolar Junction Transistor - Epitaxial Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
General Purpose Transistor, TO-92, PNP, 65V
65V 500mW 100mA 200@2mA5V 150MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, TO-92-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
TRANS, PNP, -65V, -0.1A, 0.5W, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height8.77 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité