onsemi BAT54WT1G
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces de rechange
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Price @ 1000
$ 0.047
$ 0.086
$ 0.086
Stock
2,594,724
929,939
929,939
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-323-3
SOT-323-3
SOT-323-3
Forward Voltage
800 mV
240 mV
240 mV
Reverse Voltage (DC)
-
-
-
Forward Current
200 mA
200 mA
200 mA
Max Reverse Leakage Current
2 µA
-
-
Reverse Recovery Time
5 ns
5 ns
5 ns
Capacitance
10 pF
10 pF
10 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBAT54AWT1G
SCHOTTKY BARRIER DIODE Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi BAT54WT1G fournies par ses distributeurs.
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323 / Rectifier Diode Schottky 0.2A 5ns 3-Pin SC-70 T/R
BAT54WT1 Series 30 V 600 mA Surface Mount Schottky Barrier Diode - SOT-323
DIODE, SCHOTTKY BARRIER, FAST, VR 30V, IF 200MA, PKG SOT-323 (SC-70),VF 0.52VDC
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
Schottky Rectifier, 200Ma, 30V, Sot-323; Diode Configuration:Single; Repetitive Peak Reverse Voltage:40V; Average Forward Current:200Ma; Forward Voltage Max:320Mv; Forward Surge Current:600Ma; Operating Temperature Max:125°C Rohs Compliant: Yes |Onsemi BAT54WT1G.
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications circuit protection and voltage clamping. Extremely low forward voltage red conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-323-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Average Rectified Current200 mA
Capacitance10 pF
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current200 mA
Forward Voltage800 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)600 mA
Max Operating Temperature125 °C
Max Output Current200 mA
Max Power Dissipation200 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)30 V
Max Reverse Leakage Current2 µA
Max Reverse Voltage (DC)30 V
Max Surge Current600 mA
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Output Current200 mA
PackagingTape and Reel
Peak Non-Repetitive Surge Current600 mA
Peak Reverse Current2 µA
PolarityStandard
Power Dissipation200 mW
Recovery Time5 ns
Reverse Recovery Time5 ns
Reverse Standoff Voltage25 V
Schedule B8541100070
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height889 µm
Length2.1844 mm
Width1.3462 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité